В данной статье рассматриваются новые транзисторы, выпускаемые отечественной промышленностью: биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ. зарубежная аббревиатура — IGBT), а также полевые и биполярные транзисторы.
Таблица 1. Электрические параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором
Тип прибора
Технология, структура
Pc max, Вт
Uo, U*пор, В
UКЭ max, U*КБmax, B
UЗЭmax,B
IKmax, I*к, u max,B
IHЭК, мА
S, А/В
rКЭнас, Ом
tвкл, t*выкл НС
Корпус
Аналог
KE703А
БТИЗ
100
1...2.4*
370
±10
20*
25
10...25 (25В; 10 А)
0,15
-
KT-28-2
IRGB14C40L
KE708 А-5 Б-5 В-5
БТИЗ
-
-
1200
-
50*
75*
100*
-
-
0,056
0,036
0,028
500;
700*
б/к
-
1000
800
2Е712 А,Б, В
БТИЗ
210
-
800
-
-
1 2 5
-
-
300;
250*
KT-61A
-
1000
1200
2Е712 А1, Б1, В1
БТИЗ
115
-
800
-
-
1 2 5
-
-
300;
250*
KT-57
:
1000
1200
2Е712 А2, Б2, В2
БТИЗ
115
-
800
-
-
1 2 5
-
-
300;
250*
1000
1200
KE802 А, Б, В, Г
БТИЗ
100
3...6
600
±20
23*;
46**
0,25
3,1 (100В; 12А)
0,12
1500
600
300
150
KT-9
IRG4BC30W
2Е802 А-5
БТИЗ
50
3...6
600
±20
23*
0,25
-
0,12
-
б/к
IRG4DC30
В табл. 1 представлены электрические параметры БТИЗ.
Транзисторы КЕ703А предназначены для работы в системах электронного зажигания бензиновых двигателей внутреннего сгорания. Транзисторы 2Е802А-5 и КЕ-802 относятся к пятому поколению БТИЗ и рассчитаны на применение в сетевых источниках питания, преобразователях постоянного и переменного напряжения средней мощности (0,2...5 кВт) (при входном напряжении до 550В и частоте преобразования до 100 кГц), в электронных балластах газоразрядных ламп высокого давления, в электронных трансформаторах для питания галогенных ламп, в системах регулируемого электропривода, в источниках бесперебойного питания, в узлах коррекции коэффициента мощности. Транзисторы КЕ708 и 2Е712 могут быть использованы в различных устройствах коммутации и импульсных источниках питания.
В табл.2 представлены электрические параметры полевых транзисторов с p-n-переходом и МОП типа, с р - или n-каналами.
Малошумящие транзисторы 2П334 отличаются низким ЭДС шума (15 нВ/) на частоте 1 кГц и имеют коэффициент шума 5,5 дБ (на частоте 2 МГц). Транзисторы 2П7102, 2П7145 и 2П7172 является мощными n-канальными приборами с обогащением и встроенными обратно смещенными диодами, а транзисторы 2П7141 И2П7144 — р - канальными приборами, предназначенными для использования в источниках вторичного электропитания и преобразовательной аппаратуре.
Транзисторы КП715 и 2П715 имеют специальный металлокерамический корпус с безиндуктивными выводами для улучшения динамических параметров. Они выполнены на изоляторе из оксида бериллия, имеющем высокую теплопроводность и характеризуются высокой энергоциклостойкостью из-за отсутствия “мягких” припоев, широким диапазоном рабочих температур (-60...+ 150°С) и могут применяться в широкополосных схемах СВЧ и ВЧ преобразователях.
Транзисторы КП7154, 2П7154 разработаны для работы в экстремальных условиях (при высоких перепадах температуры, в космосе, в условиях высокого электромагнитного воздействия) и предназначены для преобразователей напряжения и широкополосных устройств.
Бескорпусные транзисторы 2П7161 А5/В5 с обратным диодом имеют низкое сопротивление “сток-исток” в открытом состоянии (соответственно, 0,006 и 0,008 Ом), возможность параллельного включения и предназначены для работы в качестве силовых ключей вторичных источников электропитания и в системах синхронного выпрямления.
Бескорпусные полевые транзисторы с обратным диодом 2П7165 и 2П7167 имеют низкое сопротивление “сток-исток” в открытом состоянии (соответственно, 0,05 и 0,2 Ом), возможность параллельного включения.
Транзисторы 2П829 имеют малое сопротивление “сток-исток” в открытом состоянии (0,003…1,2 Ом) и предназначены для использования в источниках питания и преобразователях.
В табл. 3 представлены электрические параметры биполярных транзисторов.
Бескорпусные приборы КТ222 представляют собой согласованную пару транзисторов с отношением статических коэффициентов усиления h21Э1/h21Э2 = 0,8…1,25 и разностью прямых падений напряжения на переходах эмиттер-база (UБЭ1 — UБЭ2) = 3…10 мВ. Они предназначены для применения в схемах дифференциальных или операционных усилителей и в других каскадах, где требуется идентичность параметров двух транзисторов.
Транзисторы КТ742, КТ8164, КТ8170, КТ8224А-5 предназначены для применения в оконечных каскадах строчной развертки телевизоров и высоковольтных источников питания, а комплементарные транзисторы КТ8296 и КТ8297 — для схем с дополнительной симметрией со структурами n-p-n и p-n-p в линейных переключательных и усилительных схемах.
Транзисторы КТ8301А-5 и КТ837 предназначены для применения в низкочастотных усилительных и переключательных устройствах, а транзисторы КТ939 — в высокочастотных усилителях класса А с повышенными требованиями к линейности.
Обозначения электрических параметров, принятые в таблицах:
РС max и РK max — максимальная мощность рассеяния на стоке и коллекторе соответственно;
Uси max, Ukэ max, Uкб max — максимально допустимые напряжения “сток-исток”, “коллектор-эмиттер”, “коллектор-база”;